В настоящее время отрасль переживает переход от «санкционного» всплеска 2022–2023 годов к этапу планомерного импортозамещения, делая ставку на современные материалы и масштабные инвестиции.
📈 Ключевые драйверы и масштаб инвестиций
Развитие отрасли стимулируется спросом со стороны ключевых секторов экономики: электротранспорта, зарядной инфраструктуры, возобновляемой энергетики, промышленной автоматизации и транспорта.
Для удовлетворения этого спроса и достижения технологического суверенитета в стране реализуются крупные инвестпроекты:
Проект ГК «Элемент»: При поддержке ВЭБ.РФ запускается проект по созданию первого в России серийного производства силовых кристаллов общей стоимостью 19,5 млрд рублей. Проектная мощность составит до 140 тыс. пластин в год. Цель — увеличить долю российского производства силовой микроэлектроники с текущих 2% до 70% в ближайшие шесть лет.
Производство GaN-транзисторов: ГК «Элемент» также инвестирует 4,4 млрд рублей в создание первого в России производства силовых транзисторов на нитриде галлия (GaN) полного цикла на базе НИИЭТ в Воронеже.
🧬 Технологический фокус: от кремния к SiC и GaN
Главный технологический тренд — переход от традиционного кремния (Si) к более эффективным широкозонным полупроводникам: карбиду кремния (SiC) и нитриду галлия (GaN). Эти материалы позволяют создавать устройства, работающие при более высоких температурах, частотах и с значительно меньшими потерями энергии.
В России в этом направлении уже есть значительные подвижки:
Карбид кремния (SiC):
Формируется консорциум из девяти предприятий для запуска массового производства силовых модулей на основе SiC.
Создана кооперационная цепочка: от синтеза шихты (сырья) до производства готовых инверторов. Однако собственное производство SiC-шихты в России пока отсутствует, и эта проблема решается.
